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Figures2 (a) and2 (b) 表明氮化镓衬底上沉积 ZnO 薄膜的横断面 HRTEM 图像。图 2 (b) 是放大后的图像在图 2 (a) 中的白色正方形。Figures2 (c) and2 (d) 是通过快速傅里叶变换 (FFT) 获得 DDPs Fig.2(b),对应于该区域的黑色方块和白色正方形,分别标记为已标记的地区。很明显,存在着两个生长阶段: (1) 在初始阶段,ZnO 薄膜的生长方向是沿 h0002iaxis (Figs.2(b)and2(c)),可能的原因是氧化锌和甘之间类似的点阵常数。在这一地区,ZnO 薄膜展出的单结晶阶段 ;(2) 事后,ZnO 薄膜生长沿着

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Figures2 (a) and2 (b)展示在淦基体放置的ZnO影片的横截HRTEM图象。图2 (b)是白方块的被扩大化的图象在图2 (a)的。Figures2 (c) and2 (d)是快速的透镜获得的DDPs (FFT)在Fig.2 (b)的明显地区,与黑角规和白方块指示的区域相应,分别。

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Figures2( )and2( b)展示在GaN基体放置的ZnO影片的横截HRTEM图象。 图2( b)是白方块的被扩大化的图象在。 2( a)。Figures2( c) and2( d)是明显地区的快速的傅立叶变革 (获得的) DDPs FFT在(b),对应于黑角规和白方块指示的区域,分别。 显然地,那里存在二个成长阶段: (1) 在最初的阶段期间, ZnO影片的成长方向是沿h0002iaxis (Figs.2( b) and2( c)),可能由于相似的格子常数在ZnO和GaN之间。 在这个区域, ZnO影片陈列一个水晶阶段; (2) 之后, ZnO影片沿h70  74i Figs.(增
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aX-ray diffraction (XRD, Bede D1) and HRTEM (JEOLJEM2010) were used toevaluate the crystallization, microstructure, and interface properties. PL (HORIBA LabRAMHR800) measurements were conducted at room temperatureto analyze the optical properties of the ZnO films in a wavelength range of350–700 nm. The EL measurements w X-射线衍射 (XRD, Bede D1) 和HRTEM (JEOLJEM2010) 是使用的toevaluate结晶,微结构和接口物产。 PL (HORIBA LabRAMHR800) 测量在波长范围of350-700 nm被举办了在室temperatureto分析ZnO影片的光学性能。 EL测量是acarried在室temperatureto估计XRD范围ZnO影片在GaN基体放置heterostructural LEDs.Figure1shows的表现。 峰顶与thestandard绕射图所有配比。 结果显露ZnO影片的成长方向是被控制的byh70  74i.由于极小的表面热力势 (0 [translate] 
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