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图1给出一个在不同衬底温度下生长ZnCdO层的各种Cd含量180 - ? 600℃ ?

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图 1 一个礼物各种 Cd 内容的 ZnCdO 层种植在不同衬底温度 180 — — 600 ° C。Cd 内容减少基板温度的增加与有序。通过实验,我们可以修改 Zn1−xCdxO 电影通过控制衬底温度的 Cd 百分比。因极大地减少解吸率的 Cd,Cd 富生长条件青睐低温度基质中。在这个实验中,ZnCdO 180 ° C 衬底上薄膜的最大 Cd 内容是在约 8.7。%无 CdO 相分离,这是明显大于热力学固体溶解度限制在 2。%.22 合金薄膜中的 Cd 内容却远远低于目标,裁谈会的 vapor pressures 和锌之间的差异。在这里我们需要提及的 ZnCdO 电影中的 Cd 内容进一步增

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Figure1  提出ZnCdO层各种各样的CD的内容增长在各种各样的基体温度 180 - 600 ° C 。 随着基体温度的增加, CD的内容减少勤务兵。 实验性地,我们可以通过控制基体温度修改Zn1−xCdxO影片的CD的百分比。 由于CD,富有CD的成长情况的极大地减少的解吸附作用率在低温基体倾向。 在这个实验,在180 ° C基体增长的ZnCdO影片最大CD的内容是由大约8.7决定在。 没有CdO分相的%,大于热力学坚实可溶性极限 2显着。 然而%  .22, CD的内容在被熔合的影片低于那些在目标,由于在Cd汽压和锌之间的区别。 我们这里需要提及CD的内容的进一步增加在Z
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