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的制造方法,一种非易失性存储器,例如一个绝缘体上半导体结构(权利)即超薄埋入氧化物型绝缘体上半导体结构,用于存储计费信息,双栅极快闪存储器,和一个备用的便携式设备。

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其制造方法一种半导体的绝缘结构[要求]即超薄葬类型半导体氧化物的绝缘结构,用于存储收费信息,一个非易失性内存如双门闪存和一个独立的便携式设备。

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方法制作绝缘体上的半导体结构 (索赔) 即超瘦埋的氧化物类型半导体绝缘子结构来存储电荷的信息、 非易失性内存的如双门快闪记忆体和立场的便携式设备。

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制造的一个半导体方法在绝缘体结构的绝缘体结构(被要求)即即超稀薄的被埋没的氧化物类型半导体存储的充电信息,一个固定存储器双门闪存和一套候补携带式装置。

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方法为在被要求的绝缘体结构制造一个 (半导体) 即。 超稀薄的被埋没的氧化物类型半导体在绝缘体结构为存储充电信息,一个固定存储器即。 双重门闪存和一套候补携带式装置。
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aWaste heat harvesting device for use in a solar module for cooling a concentrated photovoltaic solar cell (all claimed) to harvest electricity. Can also be used for cooling a semiconductor substrate and for a thin film and for powering engine management systems, or any surfaces exposed to sun such as black painted surf 收获设备用于的废热太阳模块为冷却所有声称的被集中的光致电压的 (太阳能电池) 收获电。 罐头也使用为冷却半导体基体和为薄膜和为供给动力的引擎管理系统,或者所有表面被暴露在太阳例如黑被绘的表面或者马达引擎在汽车。 [translate] 
aSeparation of layer e.g. final substrate from composite semiconductor structure. 分层即。 最后的基体从综合半导体结构。 [translate] 
aMethod for manufacturing a substrate e.g. silicon carbide substrate and sapphire substrate, for a semiconductor device e.g. photovoltaic component such as solar cell, and transistor and diode (all claimed) utilized as a switch or a rectifier in an electronic power circuit and integrated circuit. Can also be used for a 方法为制造基体即。 碳化硅基体和青玉基体,为半导体装置即。 光致电压的组分例如太阳能电池和晶体管和二极管 (在一个) 电子功率电路和集成电路所有要求运用作为一个开关或一台整流器。 罐头为镓氮化物在青玉GaNOS基体 (也) 使用。 [translate] 
aMethod for fabricating MuGFET (claimed). 方法为制造被要求的 (MuGFET)。 [translate] 
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