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方法用于将半导体材料的层从供体主结构以用于半导体结构的第二结构(权利)的半导体元件,例如电子信号处理器装置,存储器装置,发射辐射的装置中,辐射接收装置和微机械装置。

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方法,用于传送层的半导体材料主要捐助者从第二个结构结构用于半导体结构[要求]的半导体设备如电子信号处理器设备、内存设备、辐射的发光设备、辐射的接收设备和micromechanical设备。

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方法为将图层半导体材料的主要捐助者结构从转移到第二个结构用于半导体结构 (索赔) 半导体器件如电子信号处理器设备、 内存设备、 辐射发射设备、 辐射接收设备和微机械设备。

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转移的半导体材料层数方法从主要施主结构到用于半导体结构的第二个结构(被要求)即半导体装置电子信号处理器设备的,存储设备,辐射散发设备,辐射接受设备和式微机械设备。

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方法为转移半导体材料层数从主要施主结构到用于半导体结构的第二个结构 (要求) 为半导体装置即。 电子信号处理器设备,存储设备,辐射散发设备,辐射接受设备和micromechanical设备。
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aMethod for transferring layer of semiconductor material from primary donor structure to second structure used for semiconductor structure (claimed) for semiconductor device e.g. electronic signal processor device, memory device, radiation-emitting device, radiation-receiving device and micromechanical device. 方法为转移半导体材料层数从主要施主结构到用于半导体结构的第二个结构 (要求) 为半导体装置即。 电子信号处理器设备,存储设备,辐射散发设备,辐射接受设备和micromechanical设备。 [translate]