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一种用于在例如形成p-n结用于制造集成电路的太阳能电池,包括通过分子射流进行外延生长工艺,以形成稀释的氮的半导体材料作为结晶半导体层

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方法用于形成P-N结,例如太阳能电池用于制造集成电路,固溶体过程涉及到进行喷射,形成分子氮稀释半导体材料作为结晶半导体层

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用于形成如太阳能电池用于制造集成电路,在 p-n 结的方法涉及执行外延过程由形成结晶半导体层作为稀释的氮半导体材料的分子喷气机

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形成的p-n连接点即方法在为制造集成电路使用的太阳能电池,介入进行外延过程由分子喷气机形成被稀释的氮气半导体材料作为水晶半导体层数

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方法为在即形成p-n连接点。 用于制造业集成电路的太阳能电池,介入执行外延过程由分子喷气机形成被稀释的氮气半导体材料作为水晶半导体层数
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