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对于例如半导体结构MOSFET,已掺杂区域部分地位于固体半导体层内,并注入区域部分地位于绝缘层内,以防止绝缘层内的掺杂材料的扩散

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半导体结构,例如金属氧化物半导体场效应晶体管,麻痹区域内部分固体半导体层,和植入体内部分区域内隔热层,防止传播掺杂材料的内部绝缘层

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如 MOSFET 的半导体结构有掺杂区域部分位于内固体半导体层和植入部分位于内隔热层,以防止扩散掺杂材料隔热层内的区域

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MOSFET的即半导体结构,掺杂区域部分地被找出的里面坚实半导体层数和被种入的区域部分地被找出的里面绝缘材料层数防止掺杂的材料扩散在绝缘材料层数里面的

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半导体结构为即。 MOSFET,掺杂区域部份地被找出的里面坚实半导体层数和被种入的区域部份地被找出的里面绝缘材料层数防止掺杂的材料扩散在绝缘材料层数里面
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