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半导体形成的固态器件包括衬底包括第一氮化物系半导体层,具有厚度小于临界厚度少赝保护层和第二氮化物系半导体层

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为形成半导体固态设备包括基材包括第一个氮化钛的半导体层、保护层pseudomorphic在厚度小于临界厚度,和第二氮化钛的半导体层

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半导体形成固态装置包括基体包括第一个基于氮化物半导体层,赝保护层厚度小于临界厚度和第二个基于氮化物半导体层

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形成的固体器件半导体包括基体包括第一基于氮化物的半导体层数、有pseudomorphic防护的层数厚度少于比重要厚度和其次基于氮化物的半导体层数

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半导体为形成固体器件包括基体包括第一基于氮化物的半导体层数、pseudomorphic防护层数有厚度少于比重要厚度和其次基于氮化物的半导体层数
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