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该方法用于在生长衬底上,其中所形成的材料是用于形成结构(权利),例如III族氮化物半导体结构有用的,并且包括镓氮化物材料,氮化铟材料和氮化铝材料上形成的III族氮化物材料是有用。

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这种方法是有助于形成一个第三组的氮化物材料的增长基材上,形成了材料的组成结构很有用[说]如第三组的氮化物半导体结构和包括砷化镓氮化物材料、铟氮化硅材料和铝氮化硅材料。

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该方法很有用的增长衬底,哪里的建制的材料对于形成结构 (索赔) 如组 III-氮化物半导体结构非常有用,包括氮化镓材料、 铟氮化物材料和铝氮化物材料上形成一组 III-氮化物材料。

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方法为形成在成长基体的小组III氮化物材料是有用的,被形成的材料为形成结构是有用的(被要求)例如小组III氮化物半导体结构并且包括镓氮化物材料,铟氮化物材料和氮化铝材料。

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方法为形成小组III氮化物材料是有用的在成长基体,被形成的材料为形成结构是有用的 (被要求) 例如小组III氮化物半导体结构并且包括镓氮化物材料、铟氮化物材料和铝氮化物材料。
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