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该过程允许的自支撑基材与生产的外延厚度的能力的制造中,即至少为100微米,同时确保它的生长支持一个易分离的衬底的高结晶质量的话。

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这一过程允许制造的自助与承印物的能力,以制作一个外延厚度,也就是说至少有100微米的高结晶性的同时确保质量很容易分离的基材的增长支持。

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该进程允许制造的自支撑衬底与生产外延的厚度,即是说至少 100 微米高的晶体质量的同时确保基板容易分离其增长支持的能力。

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过程允许生产自承基体以能力由它的成长支持导致一种外延厚度,也就是说与高水晶质量的至少100微米,保证基体的容易的分离。

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过程允许生产自承基体以能力由它的成长支持导致一种外延厚度,也就是说至少100微米以高水晶质量,保证基体的容易的分离。
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