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该方法使得具有半导体结构的薄掩埋绝缘层以一种简单和廉价的方式,具有良好的质量和低缺陷水平的制造。等离子体处理被施加在基片上,以形成在单个步骤中的绝缘层和激活表面,同时消除绝缘体沉积或热处理过程,从而降低了成本相关的热处理和形成与清洗绝缘层,并限制了缺陷的产生,例如滑线或脱位,在温度高于600摄氏度。该方法避免了粗糙度相关的清洁过程的增加,从而增加了衬底的键合质量。

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这种方法使制造的半导体结构有一个薄绝缘层埋在一个简单和廉价,质量好和低缺陷。 等离子治疗是应用的承印物上,从而形成绝缘层和表面上的激活在一个单一步骤,同时消除了一个绝缘沉积或热处理过程中,从而减少了相关费用的热处理和形成和清洁的绝缘层,并限制了一代的缺陷如滑移行或混乱,在温度高于600摄氏度。 这种方法避免了增加的粗糙度有关,清洁过程,从而增加了粘接质量的承印物上的。

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该方法使制造的半导体结构简单、 价格低廉的方式,具有良好的品质和低缺陷级别中有一层薄薄的埋地绝缘。等离子体处理应用的在衬底上,形成隔热层和激活表面在单个步骤中,同时消除绝缘子沉积或热处理过程中,从而降低成本和有关的热处理和形成和清洗的隔热层,限制代的缺陷如缆线或脱位在大于 600 摄氏度的温度下。该方法避免了清洗过程,从而增加基体的粘结质量有关的粗糙度的增加。

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方法使能生产半导体结构有一块稀薄的被埋没的绝缘层以简单和低廉方式,与优良品质和低瑕疵水平。

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方法使能生产半导体结构有一块稀薄的被埋没的绝缘层以简单和低廉方式,与质量好和低瑕疵水平。 血浆治疗是应用的在基体为了形成绝缘层和激活表面在单步,当消灭绝缘体证言或热治疗过程,因而使相关成本降低到热治疗和形成和清洗绝缘材料层数和限制瑕疵的世代即时。 滑动线或脱臼,在温度大于600摄氏度。 方法避免坎坷增量与清洁过程有关,因而增加基体的接合质量。
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