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的制造方法,高电阻率(HR)衬底,用于制造如互补金属氧化物半导体器件,包括小时,半导体层和施主衬底的背面之间形成的绝缘层

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方法对制造高电阻率[HR]基材、编造如互补金属氧化物半导体器件,包括形成绝缘层HR半导体层之间,背面的捐助国基材

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制造高电阻率 (HR) 基板,例如制作的互补金属氧化物半导体器件,方法涉及到成型 HR 半导体层和背表面的捐助衬底之间的隔热层

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制造的高抵抗力(HR)即基体方法,制造的互补金属氧化物半导体设备的,介入形成在HR半导体层数和施主基体之间后面表面的绝缘层

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方法为制造高抵抗力 (小时) 基体,为制造即。 补全金属氧化物半导体设备,介入形成绝缘层在小时半导体层数和施主基体之间后面表面
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