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该方法允许被处理半导体结构的直接键合到所述半导体结构中,暂时不使用结构之间的粘合剂或中间粘结材料,从而避免了制造有源和无源元件的过程中的问题。该方法允许对半导体结构进行表面活化处理以选择性地调整一个键合能的半导体结构之间,并减少因疏忽而形成永久结合的。

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方法允许直接粘接法加工的半导体结构半导体的结构,暂时无需使用胶粘剂或中间粘结材料之间的结构,从而避免在主动和被动组件的制造过程的问题。该方法允许遭受一个表面活化过程,有选择性地定制半导体结构之间的粘接能源,减少无意中形成的永久性债券的半导体结构。

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方法允许一个被处理的半导体结构的直接接合对半导体结构,临时地,无需使用在结构之间的黏着性或中间接合材料,因而避免问题在制造活跃和被动组分期间。方法准许服从半导体结构到一个表面活化作用过程选择性地剪裁在半导体结构之间的键能和减少永久债券的疏忽形成。

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方法允许一个被处理的半导体结构的直接接合对半导体结构,临时地,无需使用黏着性或中间接合材料在结构之间,因而避免问题在制造活跃和被动组分期间。 方法准许服从半导体结构到一个表面活化作用过程有选择性地剪裁键能在半导体结构之间和减少永久债券的疏忽形成。
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